价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM100TF-28H现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  一旦运用了生命期控制技术，即使处通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率”简单扼要地概括出来。相对而言，使用FZ晶片的IGBT（第四代1200V以后的系列）采用了抑制来自集电极侧载流子的注入，并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。在前面所述的使用外延片的IGBT的设计。

工作原理
  模块有A,K,G三脚，当AK间加上交流电，在KG之间加一触发信号，单向可控硅在交流半波（10毫秒内）任意时间起加触发，其信号可很短，（例如10微秒的脉冲）可控硅导通。10微秒后脉冲消失，可控硅还是导通的，只有当正弦波过零时AK间没有维持电压，可控硅就关断了；若不再加脉冲，即使AK间重新获得电压，可控硅还是关断的。要使可控硅不关断，就要在每个周期重复给触发脉冲。在正弦波的180°时间内，过零就给脉冲，这半波全导通。若过零后延迟一定时间再给脉冲，就从你给脉冲起导通。这样就起到调压效果。当可控硅接到直流电上，给一个触发，可控硅导通，触发信号消失，可控硅一直是导通的，除了拉开开关，直流总是导通。可控硅失去控制功能了。那还不如用机械开关。知道可控硅原理，就知不要试图用可控硅控制直流。

产品结构图

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