三菱IGBT模块CM1200HD-50S现货技术参数价格_供应

三菱IGBT模块CM1200HD-50S现货技术参数价格

发布时间:2016-08-15 17:55:59 产品编号:GY-5-95150641 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM1200HD-50S现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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运用外延片的IGBT（第三～第四代的600V型为止的系列产品，被称为“击穿型”）的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现**交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子**消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。

产品特色：
国际标准封装，JEDEC TO- 240 AA
•直接键合铜铝2O3- 陶瓷base PLATE
集成了**的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界**高水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰；
在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）；
体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。

三菱IGBT模块CM1200HD-50S深圳现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.1 kW
封装 / 箱体: PRIME2
**工作温度: + 150 C
高度: 38 mm
长度: 172 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3
宽度: 89 mm

产品结构图

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状态:离线发送信件
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