品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM75TJ-24F深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块CM75TJ-24F深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-15 17:03:50 产品编号:GY-5-95143281 分享
价格:未填
品牌:三菱
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三菱IGBT模块CM75TJ-24F由于内置了恢复速度快,恢复特性良好的二极管,无论在动态和静态状态下, dv/dt的特性都得以提高，从而使HiPerFET在更恶劣的条件下也能安全工作，因此，它适合在各种感性负载作为开关器件。其中的Q-class MOSFET，在此基础上采用了新的芯片技术，减少了门极充电电量Qg和米勒电容Crss，因而大大的提高了器件的开关效率和频率。F-Class MOSFET， 主要在超高频的开关电源、射频、激光等应用，操作频率可达到150MHz，该系列产品有极低的门极充电电量。
吸收电路：
为降低浪涌电压，应当优化主电路和吸收电路的设计峰值浪涌电压 (VCE(peak))=VCC + L?dic/dt
L : L1, L2, L3 : 配线电感，dic/dt : 开关过程中集电极电流变化率。
通过增加吸收电路来抑制电压尖峰。
优点：
1)设计简单
2)吸收电路功耗低
3)成本低
缺点：
1)对电容C要求高
2)仅适用于小功率 场合，大功率场合，C可能与主电路电感形成谐振。
吸收电路：
为降低浪涌电压，应当优化主电路和吸收电路的设计峰值浪涌电压 (VCE(peak))=VCC + L?dic/dt
L : L1, L2, L3 : 配线电感，dic/dt : 开关过程中集电极电流变化率。
通过增加吸收电路来抑制电压尖峰。
优点：
1)设计简单
2)吸收电路功耗低
3)成本低
缺点：
1)对电容C要求高
2)仅适用于小功率 场合，大功率场合，C可能与主电路电感形成谐振。
三菱IGBT模块CM75TJ-24F深圳现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
**工作温度: + 150 C
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
产品结构图
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
价格：1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
**工作温度: + 150 C
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
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联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
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电话:0755-23490212
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QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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