MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（**高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

检测方法
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。**在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
3．检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。

英飞凌MOS管IPW65R041CFD现货应用技术参数价格
价格：1
制造商：Infineon Technologies
RoHS：ROHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
标准包装：240
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：CoolMOS??
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：68.5A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（**值）：41 毫欧 @ 33.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（**值）：4.5V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8400pF @ 100V
功率 - **值：500W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
其它名称：IPW65R041CFDFKSA1