是应用新技术开发的N沟道增强模式MOS管,内含**二极管，采用国际标准封装，相对于同规格产品IXFH44N50P 更容易驱动和保护，是大功率运用场合的利器。其低封装电感的特性，容易安装基本上即插即用，产品重量低至6.5克,产品外形节结构图和封装尺寸见下图。

目标应用程序：
不间断电源
空调系统
家电
焊接
交直流 

工作原理
  1. 源极和衬底连接是二极管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。
  2. 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。漏-衬底-源寄生三极管无电流的原因是：在正常工作条件下，衬底（寄生三极管基区）电势**，因此寄生三极管亦无电流。
  3. 当漏极电压增加，栅极-漏极间电势差将减小，当其减小到小于阈值电压时，漏极附近的反型层将夹断。

美高森美快恢复二极管APT75DQ120BG现货参数价格
价格：1
PCN Obsolescence： IXFN44(8)N80U2,3 Devices 28/Aug/2013
品牌和型号 IXYS IXFN48N50U3
标准包装： 10
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 模块
系列： HiPerFET™
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 48A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（**值）： 100 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（**值）： 4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 8400pF @ 25V
功率 - **值： 520W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装： SOT-227B
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产品技术参数图