品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM200RLA060深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块PM200RLA060深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-13 13:25:56 产品编号:GY-5-94834778 分享
价格:未填
品牌:三菱
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品牌:三菱
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产品具有出众的效率，与英飞凌的HighSpeed （H3） 系列相比，关断损耗降低60%，与开通损耗密切相关的饱和压降也具有正温度系数。与H3相比，其栅极充电小2.5 倍，更易于驱动，因此可使用较小的驱动器以降低成本。此外，采用的**二极管，其正向导通压降受温度影响小，其反向恢复时间少于50ns。低输出电容提供了出色的轻载效率，极其适合于以**额定功率40% 以下的运行为主的应用设计。
三菱IGBT模块RM1800HE-34S IGBT模块采用**化的CSTBTTM硅片技术，内部集成NTC (Negative Temperature Coefficient) 测温电阻。全系列产品采用同一封装平台从而降低了模块的制造成本，使得它性价比具有不同寻常的竞争力。CM100RX-12A IGBT模块特别适合用于通用变频器。CM100RX-12A属于三菱第五代NX系列IGBT模块，具有7单元电路拓扑结构，自推出以来已经广泛地应用于三相逆变器、带制动器、大功率开关等领域。
根据逆变器及IGBT的特性，对其驱动电路有以下几点要求：
1）提供适当的正反向栅极电压，使IGBT可靠地开通和关断。根据后级逆变器所采用的开关管特性，确定±15V偏压为宜。
2）IGBT安全导通后驱动电路须提供稳定的电压、电流幅值，用以在各个工况下维持IGBT的正常工作。
3）能够提供足够高的隔离电压，实现控制电路与主电路之间的电气隔离。
4）驱动电路具有一定的抗干扰能力及保护功能。
5）在上述要求实现的基础上，追求驱动电路的简单实用性。
IGBT模块的选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
CM200DY-24H 45 200A/1200V/IGBT/2U MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
CM20MD1-12H 45 20A/600V/PIM/7U MITSUBISHI
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
产品价格 联系我们咨询
三菱**中文PDF资料 点击下载，或 联系我们索取
**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
产品结构图
三菱IGBT模块RM1800HE-34S IGBT模块采用**化的CSTBTTM硅片技术，内部集成NTC (Negative Temperature Coefficient) 测温电阻。全系列产品采用同一封装平台从而降低了模块的制造成本，使得它性价比具有不同寻常的竞争力。CM100RX-12A IGBT模块特别适合用于通用变频器。CM100RX-12A属于三菱第五代NX系列IGBT模块，具有7单元电路拓扑结构，自推出以来已经广泛地应用于三相逆变器、带制动器、大功率开关等领域。
根据逆变器及IGBT的特性，对其驱动电路有以下几点要求：
1）提供适当的正反向栅极电压，使IGBT可靠地开通和关断。根据后级逆变器所采用的开关管特性，确定±15V偏压为宜。
2）IGBT安全导通后驱动电路须提供稳定的电压、电流幅值，用以在各个工况下维持IGBT的正常工作。
3）能够提供足够高的隔离电压，实现控制电路与主电路之间的电气隔离。
4）驱动电路具有一定的抗干扰能力及保护功能。
5）在上述要求实现的基础上，追求驱动电路的简单实用性。
IGBT模块的选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
三菱IGBT模块PM200RLA060深圳现货技术参数价格价格：1
制动部分：VCES=600V、Ic=50A、ICRM=100A、Pc=280W、Vce（sat）=1.7V、Cice=9.3nF；
逆变器部分:VCES=600V、Ic=100A、Icrm=200A、Pc=400W、Vce（sat）=1.7V、t（on）=100ns、t（off）=300ns、t（rr）=200ns；
NTC：R=5000欧姆、Tc=25℃时的功率P=100mW 。
产品： IGBT Silicon Modules
CM75TF-12H 45 75A/600V/IGBT/6U MITSUBISHI
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter制动部分：VCES=600V、Ic=50A、ICRM=100A、Pc=280W、Vce（sat）=1.7V、Cice=9.3nF；
逆变器部分:VCES=600V、Ic=100A、Icrm=200A、Pc=400W、Vce（sat）=1.7V、t（on）=100ns、t（off）=300ns、t（rr）=200ns；
NTC：R=5000欧姆、Tc=25℃时的功率P=100mW 。
产品： IGBT Silicon Modules
CM75TF-12H 45 75A/600V/IGBT/6U MITSUBISHI
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
CM200DY-24H 45 200A/1200V/IGBT/2U MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
CM20MD1-12H 45 20A/600V/PIM/7U MITSUBISHI
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
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