品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM150CVA120深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块PM150CVA120深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-13 13:22:45 产品编号:GY-5-94834365 分享
价格:未填
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IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。
三菱IGBT模块PM150CVA120研发的新一代采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTCP的PrimePACK™3模块，相较于之前英飞凌出的一系列的产品，它的直流电压得到充分的稳定，提高了工作结温Tvjop。FF1400R17IP4的高电流密度、偏低的开关损耗、以及低VCEsat、Tvjop=150°C，更是由于它的高功率循环和温度循环能力以及高功率密度，为它在大功率变频器等的应用中得到充分的利用，减少电器的损坏。
另外，设计者在对噪音极其敏感的系统（如音频放大器）的设计中，首次采用便发挥出它的巨大价值。由于具有极强的耐用性和软开关特性，在宽电压输入时设计师可以获得极稳定的放大器级母线电压，可满足**的音频品质和低系统重量要求。
IGBT模块的选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
IGBT模块驱动电路要求
逆变器采用三相电压型全桥逆变电路，采用英飞凌公司生产的FZ600R12KE3作为逆变电路的核心器件。FZ600R12KE3是一款分立式IGBT模块，该模块的**输出电流为600A，耐压为1200V，安全可靠，而且特性良好。后续的驱动电路都是以它为驱动对象。
进行研究的。主电路拓扑、控制策略确定后，作为主电路与控制电路(强、弱电)之间的“桥梁”，驱动电路的好坏对整个系统的可靠性和安全性起到了至关重要的作用，因此驱动电路的设计是整个逆变器设计中较为重要的一环。
三菱IGBT模块PM150CVA120研发的新一代采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTCP的PrimePACK™3模块，相较于之前英飞凌出的一系列的产品，它的直流电压得到充分的稳定，提高了工作结温Tvjop。FF1400R17IP4的高电流密度、偏低的开关损耗、以及低VCEsat、Tvjop=150°C，更是由于它的高功率循环和温度循环能力以及高功率密度，为它在大功率变频器等的应用中得到充分的利用，减少电器的损坏。
另外，设计者在对噪音极其敏感的系统（如音频放大器）的设计中，首次采用便发挥出它的巨大价值。由于具有极强的耐用性和软开关特性，在宽电压输入时设计师可以获得极稳定的放大器级母线电压，可满足**的音频品质和低系统重量要求。
IGBT模块的选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
IGBT模块驱动电路要求
逆变器采用三相电压型全桥逆变电路，采用英飞凌公司生产的FZ600R12KE3作为逆变电路的核心器件。FZ600R12KE3是一款分立式IGBT模块，该模块的**输出电流为600A，耐压为1200V，安全可靠，而且特性良好。后续的驱动电路都是以它为驱动对象。
进行研究的。主电路拓扑、控制策略确定后，作为主电路与控制电路(强、弱电)之间的“桥梁”，驱动电路的好坏对整个系统的可靠性和安全性起到了至关重要的作用，因此驱动电路的设计是整个逆变器设计中较为重要的一环。
三菱IGBT模块PM150CVA120深圳现货技术参数价格
价格：1
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
产品价格 联系我们咨询
三菱**中文PDF资料 点击下载，或 联系我们索取
**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
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