三菱IGBT模块PM200DHA060是针对E3系列的进一步的开发优化，适用于变频器中达到了更高的效率。其发射极饱和电压(VCEsat)比E3系列减小了大约100mA，T3系列IGBT的关断损耗（FS75R12KT3 Eoff= 8.1m J）在额定工作条件下比E3系列(FS75R12KE3 Eo ff= 9.5m J)减小了大约17%。且拥有更高的开关频率，减少了在较高的电流密度组合的损失。主要适用于变频器、焊机逆变器等。
  IGBT的等效电路，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
  一般电路波形接近方波部分说明其输出含有较多的谐波分量，这样会使系统产生不必要的附加损耗，如图5是采用IGBT的改进电路，其波形很接近正弦波，理想的正弦波其总谐波畸变度为零，但实际生活中很难达到这样的水准，因此基本达到要求，同时由于PICl6F873单片机具有多路PWM发生器，又具有更好的输出正弦波的特点，因此验证了实验的可行性，达到了预期效果。

优点：
1) 关断浪涌电压吸收效 果**
2)可用于高频开关状态
3) 对直流侧电压振荡小
4)可用于中大功率场合
缺点：
1)设计难度较大
2)成本高

IGBT并联应用要点：
为每一个IGBT选用独立的Rg和Re，驱动电路输出阻抗相同，主电路配线阻抗相同，但是避免大的环路，选用同一型号、饱和电压同一等级的模块并联
考虑电流降额系数；
模块安装在同一散热器上面，以保持温度相同。

CM200E3Y-12H  20  200A/600V/IGBT/1U  MITSUBISHI
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
 CM200E3Y-24H  20  200A/1200V/IGBT/1U  MITSUBISHI
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 CCM200HA-24H  45  200A/1200V/IGBT/1U  MITSUBISHI
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
CM200TU-12F  96  200A/600V/IGBT/6U  MITSUBISHI
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
 CM200TU-12H  45  200A/600V/IGBT/6U  MITSUBISHI
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
产品结构图

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