价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM20CEF060深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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IGBT的等效电路,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
三菱IGBT模块PM20CEF060通过允许高压端和低压端IGBT独立优化实现很高的效率;高压端、同封装的软恢复二极管没有续流时间,从而消除了不必要的开关损耗;低压端IGBT的开关频率只有60Hz,因此导通损耗是这些IGBT的主要因素;没有交叉导通,因为任何时间点的开关都发生在对角的两个器件上(Q1和Q4或Q2和Q3);不存在总线直通的可能性,因为桥的同一边上的IGBT**不可能以互补方式开关;跨接低压端IGBT的同封装、超**、软恢复二极管经过优化可以使续流和反向恢复期间的损耗达到**小。
保护工作过程描述:
DESAT(饱和压降检测):该端子时刻监视集电极与发射极的饱和电压。
当检测到电压超过7V时,VOUT(输出)端子电压变低。
FAULT(故障输出)为低,用户CPU开始进入外中断服务程序。
输出控制描述:
输出端子VOUT,FALUT受控于VIN,UVLO,DESAT的工作情况,HCPL316J可以使用VIN+,VIN-来定义是高电平或低电平有效。当低电平有效时,VIN+必须保持为高电平VIN-为触发信号端。一旦UVLO没有使能,VOUT输出则有效,14脚DESAT检测端子为**高优先级,UVLO先要确认DESAT是否已经使能。
栅极电压钳位电路:
正负电源供电时的**电路,D1钳位到正驱动电源尤为重要,可以非常有效降低短路电流。
单电源供电时的适用,可以有效避免对应桥臂动作时的IGBT误动作;但是关断损耗比双电源时略有增大。
结温的计算:
结温是判断IGBT能否可靠运行的重要依据!
三菱IGBT模块PM20CEF060深圳现货技术参数价格
价格:1
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
产品结构图
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括:IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块,富士IGBT模块,三菱IGBT模块,IXYS,IGBT模块,以及其它工控元器件,电容传感器,熔断器,光耦,钽电容,继电器,防雷器,断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售,全新原装,质量保证!
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