三菱IGBT模块RM50TC-2H深圳现货技术参数价格资料_供应

三菱IGBT模块RM50TC-2H深圳现货技术参数价格资料

发布时间:2016-08-13 13:02:29 产品编号:GY-5-94831663 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块RM50TC-2H深圳现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块RM50TC-2H以满足诸如可再生能源系统、商用电动车辆、电梯、工业驱动装置或电源等应用不断提高的要求。得益于诸如超声波焊接功率端子、优化基板结构或可靠的创新PressFIT压接式管脚技术等不计其数的改进和创新，英飞凌新推出的这些模块，能够让客户设计出坚固高效、外形小巧的功率转换器。更长使用寿命、更高功率密度，以及允许使用新一代芯片的坚固的模块封装。

特性:
•**结温度Tj = 175℃
•正温度系数
•高电流能力
•低饱和电压VCE（sat）= 1.9 V（典型值）@ IC = 40A
•**切换：EOFF= 6.5 uJ /A
•符合RoHS

应用
•太阳能逆变器
•焊机
•感应加热
•UPS

IGBT损坏的几大原因：
1，进水烧坏，用户在使用时不趁溢水
2，有蟑螂、昆虫等进入
3，滤波电容5UF失容
4，环境恶劣，油烟、潮气大，电路腐蚀漏电
5，谐振电容0.27--0.33UF开路
6，功率调节电阻漏电短路
7，18V电压过高
8，驱动对管有性能不良
9，用户电源电压过高或插头有打火现象
10，CPU损坏造成功率失控烧坏
11，339比较器损坏等等

三菱IGBT模块RM50TC-2H深圳现货技术参数价格资料
价格：1
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2

产品结构图

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状态:离线发送信件
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