品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM55CZ-24深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块TM55CZ-24深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-13 12:56:59 产品编号:GY-5-94830904 分享
价格:未填
品牌:三菱
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信息标签:三菱IGBT模块TM55CZ-24深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
品牌:三菱
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信息标签:三菱IGBT模块TM55CZ-24深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
三菱IGBT模块TM55CZ-24深圳现货技术参数价格是针对中高频率应用市场开发的，在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化，其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥**优良特性 。而在典型情况下， IGBT模块的优化，所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时，是让通态电压偏大，以换取偏低的开关功耗，从而能在高频应用中实现**的总功耗。产品主要应用领域：医疗应用 、 电机传动 、谐振逆变器应用 、伺服驱动器、 UPS系统 。
对于导热剂与散热器表面的建议
按照一般规则，对于PrimePACk模块来说，如果手工来涂抹导热剂，我们建议50um的典型厚度。根据导热剂的粘度，存在与**值的偏差也是可能的（请见下文）。 在我们的数据手册里，你会发现一个热阻RthCH的数值，它表示的是模块基板与散热器之间的导热阻抗。为了在你的应用中确保这个热阻值，在模块与散热器之间接触面的粗糙度和散热器的平整度应该具有以下：
基板规格 表面粗糙度 平整度 172×89mm 模块： <10um <30um 250×89mm 模块： <10um <50um 下面的这些量值一个准则，就是导热剂为了达到50um的涂层所需要的量值。这些容量可以通过注射或者利用别的管子来测量得到。
172×89mm 模块： 0.77cm3 250×89mm 模块： 1.11cm3
2 丝网印刷工艺 在丝网印刷的过程中，导热剂被直接应用于模块的基板。以下图片展示的是机器工作及导热剂涂抹过程。
1.首先清洁金属夹具上的变硬的导热剂残留物或者其他杂质。可以应用适当的乙醇等化学物品。
2. 校准丝网模板与模块的位置。
对于导热剂与散热器表面的建议
按照一般规则，对于PrimePACk模块来说，如果手工来涂抹导热剂，我们建议50um的典型厚度。根据导热剂的粘度，存在与**值的偏差也是可能的（请见下文）。 在我们的数据手册里，你会发现一个热阻RthCH的数值，它表示的是模块基板与散热器之间的导热阻抗。为了在你的应用中确保这个热阻值，在模块与散热器之间接触面的粗糙度和散热器的平整度应该具有以下：
基板规格 表面粗糙度 平整度 172×89mm 模块： <10um <30um 250×89mm 模块： <10um <50um 下面的这些量值一个准则，就是导热剂为了达到50um的涂层所需要的量值。这些容量可以通过注射或者利用别的管子来测量得到。
172×89mm 模块： 0.77cm3 250×89mm 模块： 1.11cm3
2 丝网印刷工艺 在丝网印刷的过程中，导热剂被直接应用于模块的基板。以下图片展示的是机器工作及导热剂涂抹过程。
1.首先清洁金属夹具上的变硬的导热剂残留物或者其他杂质。可以应用适当的乙醇等化学物品。
2. 校准丝网模板与模块的位置。
三菱IGBT模块TM55CZ-24深圳现货技术参数价格
价格：1
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
产品价格 联系我们咨询
三菱**中文PDF资料 点击下载，或 联系我们索取
**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
产品结构图
价格：1
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
图1和图2分别是IR公司和TOSHIBA公司测量开关时间的电路和定义开关时间的波形[1,2]。其共同特点是:开通处于续流状态的纯感性负载;关断有钳位二极管的纯感性负载。
图1 IR开关参数的定义
图3是11kW半桥型电路及其工作波形,使用的IGBT为GA75TS120U(IR)。由波形可见,电流上升时间tr约为500ns,下降时间tf约为300ns。但在数据手册中,GA75TS120U的电流升降时间分别为tr=100ns,tf=80ns,与实际工作情况差异较大。其原因主要在于以下两方面:
图 2TOSHIBA开关参数定义
(1)因变压器漏感的存在,图3中IGBT近似于零电流开通,电流上升率受漏感的限制,因而实际电流上升时间tr不完全取决于IGBT。而数据手册中则开通一个正在续流的纯感性负载,IGBT既要承受电感中的电流,还要承受续流二极管的反向恢复电流,电流上升率则完全取决于IGBT的开通速度。
(2)关断时,图3中的IGBT并非是在关断一个纯感性负载,而是关断一个电阻?电感型负载,其电流的下降时间tf要慢于关断带钳位的纯感性负载。并且,对于纯感性负载,只有当IGBT的集电极电压上升到钳位值后,IGBT中的电流才开始下降(见图1、图2中的波形),而电阻?电感性负载时,集电极电压和电流几乎是同时变化的(见图3b波形)。
图3半桥电路及其工作波形(a)试验电路(b)关断过程(c)开通过程
虽然图3中IGBT的tr、tf均大于给定值,但并不意味着损耗的上升,因为开关损耗还取决于开关过程中电压电流的?重叠?程度,而图3中的重叠明显不如图1、图2中严重,因而整体损耗将下降。
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