产品保管注意事项
1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

  判断好坏
  将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。

  当IGBT功率开关管导通时，加在两端的电压为零称为零电压开关，IGBT关断时，流过其上的电流为零称为零电流开关。由于IGBT具有一定的开关损耗，所以采用移相全桥零电压零电流PWM软开关变换器(如图4所示)，结构简单没有有损元件，减少了IGBT尾电流的影响，进而减少了开关损耗，提高了逆变器的效率。
  Q1～Q4是4个IGBT功率开关管，其中Q1和Q3为**臂，Q2和Q4为滞后臂，Q1和Q3**于Q2和Q3一个相位，当Q1和Q4关断，Q2和Q3导通时，UAB两端电压等于V1两端电压，电容器C1被电源电压V1充电。当Q3由导通到关断时，电容器C3被充电，电感L1释放能量，使得电容器C1谐振放电，直到电容器C1上的电压为零，使Q1具备了零电压导通的条件，同理可知**臂Q3的零电压导通原理。当Q1和Q4导通，Q2和Q3关断时，AB两端电压等于V1两端电压，电容器C3处于充电状态，当Q1和Q4持续导通时，电感L2与电容C8产生谐振，因此，电容C8被充电。当Q1由导通到关断时，电容C1被充电，使得C3开始放电，AB两端电压减小，使得C8谐振放电，C8持续放电，**后使得二极管D7续流，Q4的驱动脉冲持续下降直到零，**终完成了Q4的零电流关断。同理可知滞后臂Q2的零电流关断原理。
  因此可以说**臂Q1和Q3分别通过并联电容器C1和C3来完成零电压导通和关断，进而减小开关损耗；滞后臂Q2和Q4则是通过辅助电路中对C8放电．使流过变压器原边的电流减小到零进而完成零电流导通和关断。

三菱IGBT模块RM500HA-2H深圳现货技术参数价格
价格：1
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2