价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块RM50CA-20S深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
点击这里进行电话呼叫
点击这里QQ咨询
联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠!如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名,点击立即免费注册,发布产品推广。
三菱IGBT模块RM50CA-20S大容量IGBT整流器采用三电平PWM控制,应用调整载波相位配合等技术有效降低了谐波对电网的影响;采用高功率因数矢量控制技术,保证了网侧输入功率因数到1.0;采用低开关频率载波并配合预见性PWM控制技术,提高IGBT在大容量系统中的应用能力。通过在运行中检修试验等实践,证明了其可以较好满足生产中各项要求。
特征
•高电流能力
•低饱和电压VCE(SAT):= 1.9 V(典型值。)@ IC = 40
•高输入阻抗
•**切换
•符合RoHS : 0pt;">
IGBT的工作原理
绝缘栅双极晶体管IGBT是相当于在MOSFET的漏极下增加了P+区吲,相比MOSFET来说多了一个PN结,当IGBT的集电极与发射极之间加上负电压时,此PN结处于反向偏置状态,其集电极与发射极之间没有电流通过,因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐压性。也是由于P+区的存在,使得IGBT在导通时是低阻状态,所以相对MOSFET来说,IGBT的电流容量要更大一些。表1所示为MOSFET和IGBT的性能对比,其中MOSFET的门栅极驱动损耗是比较低的,但相比于IGBT来说IGBT的门栅极驱动损耗更低一些。
注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:
1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
三菱IGBT模块RM50CA-20S深圳现货技术参数价格
价格:1
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
产品价格 联系我们咨询
三菱**中文PDF资料 点击下载,或 联系我们索取
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
产品结构图
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括:IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块,富士IGBT模块,三菱IGBT模块,IXYS,IGBT模块,以及其它工控元器件,电容传感器,熔断器,光耦,钽电容,继电器,防雷器,断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售,全新原装,质量保证!
联系人:吴小姐
咨询电话:0755-33556146
手机专线:15712055037
Email:Info@gongyes.com
更多产品信息请查看我司网站:http://www.gongyes.com
深圳办事处:深圳市龙华新区民治大道松花大厦702