封装外观和结构
我们将了解四种用来测算结温的方法，并展示测算结果：
直接测量（由红外摄像机检测的TJ）
TC_TOP 测算（用红外摄像机测量壳温 TC_TOP）
TP 测算（热电偶检测 PCB 温度 TP）
VTS 测算（用 VTS 检测的高压 IC THVIC 的结温）
A：直接测量（由红外摄像机检测的 TJ）
您可以使用红外摄像机直接测量结温。尽管这样看起来很直接，但需要打开模块封装。这个过程很费力、复杂、成本高，并且会改变**后装配的运行。然而，为了能够“查看壳体内部”和“检查”实际元件，这样的工作和成本是值得的。为了进行下列测量，使用专业设备执行打开封装的流程。

IGBT的工作原理
绝缘栅双极晶体管IGBT是相当于在MOSFET的漏极下增加了P+区吲，相比MOSFET来说多了一个PN结，当IGBT的集电极与发射极之间加上负电压时，此PN结处于反向偏置状态，其集电极与发射极之间没有电流通过，因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐压性。也是由于P+区的存在，使得IGBT在导通时是低阻状态，所以相对MOSFET来说，IGBT的电流容量要更大一些。表1所示为MOSFET和IGBT的性能对比，其中MOSFET的门栅极驱动损耗是比较低的，但相比于IGBT来说IGBT的门栅极驱动损耗更低一些。

三菱智能IGBT模块RM50HA-24F现货技术参数价格
价格：1
制动部分：VCES=600V、Ic=50A、ICRM=100A、Pc=280W、Vce（sat）=1.7V、Cice=9.3nF；
逆变器部分:VCES=600V、Ic=100A、Icrm=200A、Pc=400W、Vce（sat）=1.7V、t（on）=100ns、t（off）=300ns、t（rr）=200ns；
基本参数：IGBT MOD SGL 1200V 600A F SER