价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱智能IGBT模块CM100E3Y-12H现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱第四代IGBT是在前代的基础上引入沟槽栅,这是当前国外半导体厂商普遍采用的结构组合,栅极采用了沟槽技术,工作电流从N漂移区(基区)直接流进垂直沟道而进入源区,于是,这种IGBT的通态压降消除了JFET区域串联电阻的影响,优化了器件表面的载流子分布,改善了器件的导通特性和电流密度。高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠性、低成本是IGBT器件的发展趋势。经过三十年的持续奋斗,不断探索与创新,现代IGBT的参数折衷达到了极高的水平,已可能成为近20年中**有普及价值的电力电子主力器件。目前尚无其它大功率高频器件可以代替IGBT。
三菱CM100E3Y-12H是三菱第四代F系列沟槽型智能功率模块(DIPIPM),适宜于1.5KW/2.2KW通用变频器或伺服驱动器产品应用。智能功率模块简称IPM模块,是一种将直流电转换为交流电的逆变器,是伺服驱动器及变频器的关键元件。
三菱CM100E3Y-12H是一种结构非常紧凑的智能功率模块,采用压注模封装技术,便于大批量生产。内部比普通IGBT模块集成了IGBT硅片、IGBT驱动及保护电路。非常适用于交流100~200V级小容量电机的变频控制。
吸收电路:
为降低浪涌电压,应当优化主电路和吸收电路的设计峰值浪涌电压 (VCE(peak))=VCC + L?dic/dt
L : L1, L2, L3 : 配线电感,dic/dt : 开关过程中集电极电流变化率。
通过增加吸收电路来抑制电压尖峰。
优点:
1)直接降低关断瞬间浪 涌电压,波形平滑
2)吸收电路功耗低
3)适用于中功率场合
缺点:
1)对电容C和二极管的 反向恢复特性要求都较高
2)吸收电路存在较高电感
3)须注意RC时间常数设计
三菱智能IGBT模块CM100E3Y-12H现货技术参数价格
价格:1
基本参数:沟槽栅设计六IGBTMOD⑩100A/ 1200V
标准包装: 10
类别: 分立式导体产品
品牌和型号 三菱CM100TU-24F
系列: IGBTMOD™ IGBT - 模块
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(**值): 1200V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on): 2.4V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(**值): 100A
电流 - 集电极截止(**值): 1mA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies): 39nF @ 10V
功率 - **值: 500W
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
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