价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM200RSE060现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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      三菱IGBT模块PM200RSE060采用**化的CSTBTTM硅片技术，内部集成NTC (Negative Temperature Coefficient) 测温电阻。全系列产品采用同一封装平台从而降低了模块的制造成本，使得它性价比具有不同寻常的竞争力。CM200DY-28H IGBT模块特别适合用于通用变频器。属于三菱第五代NX系列IGBT模块，具有7单元电路拓扑结构，自推出以来已经广泛地应用于三相逆变器、带制动器、大功率开关等领域。

  IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT
  公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子**会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压 VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的 基区厚度 dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺 杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。1995 年，西门子率先不用外延工艺，采用区熔单晶硅 批量生产 NPT－IGBT 产品。西门子的 NPT-IGBT 在全电流工作区范围内具有饱和压降正温度 系数，具有类 MOSFET 的输出特性。

性能特点
采用**化CSTBTTM硅片技术
有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台
耐功率循环和热循环能力强
具有竞争力的性价比