价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块 PM150RSE060现货参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使。

优点：
1) 关断浪涌电压吸收效 果**
2)可用于高频开关状态
3) 对直流侧电压振荡小
4)可用于中大功率场合
缺点：
1)设计难度较大
2)成本高
IGBT并联应用要点：

  产品构成
  该充电装置主要由主回路、控制回路、驱动电路及保护 电路等部分组成，在输入三相交流电后，系统经过整流、逆变 和整流过程后输出所需要的直流充电电压.各部分的组成及工作原理。
  主回路中IGBT器件组成了 DC/AC高频逆变电路，IGBT 它是M0SFET和BJT的复合，它把M0SFET的驱动功率小、 开关速度快的优点和BJT的通态压降小、载流能力大、可承 受电压高的优点集于—身，具有输入阻抗商、开关频率高、热稳定性好、易触发和能承受高压强流等特点,所以此大功 率充电模块逆变环节设计采用了IGBT器件。该部分采用了 移相全桥软开关拓扑，移相全桥软开关的实质就是利用谐振过程对并联电容充放电，让某一桥臂电压**升至电源电压 或者降至零值，使同一桥臂即将开通管的并接二极管导通， 把该管两端电压钳位在0V，为ZVS创造条件。