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品牌:安华高
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信息标签:安华高光耦HCPL-354-06AE现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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光电耦合器的输入端是发光二极管,因此,它的输入特性可用发光二极管的伏安特性来表示,输出端是光敏三极管,因此光敏三极管的伏安特性就是它的输出特性,如图1c所示。由图可见,光电耦合器存在着非线性工作区域,直接用来传输模拟量时精度较差。
解决方法之一,利用2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器,T1和T2,以及2个射极跟随器A1和A2组成,如图2所示。如果T1和T2是同型号同批次的光电耦合器,可以认为他们的非线性传输特性是完全一致的,即K1(I1)=K2(I1),则放大器的电压增益G=Uo/U1=I3R3/I2R2=(R3/R2)[K1(I1)/K2(I1)]=R3/R2。由此可见,利用T1和T2电流传输特性的对称性,利用反馈原理,可以很好的补偿他们原来的非线性。
光耦以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递,输入与输出在电气上完全隔离,具有抗干扰性能强的特点。对于既包括弱电控制部分,又包括强电控制部分的工业应用测控系统,采用光耦隔离可以很好地实现弱电和强电的隔离,达到抗干扰目的。但是,使用光耦隔离需要考虑以下几个问题:
① 光耦直接用于隔离传输模拟量时,要考虑光耦的非线性问题;
② 光耦隔离传输数字量时,要考虑光耦的响应速度问题;
③ 如果输出有功率要求的话,还得考虑光耦的功率接口设计问题。
安华高光耦HCPL-354-06AE现货技术参数价格资料
价格:1
制造商: Broadcom Limited
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: SO-4
输出类型: NPN Phototransistor
通道数量: 1 Channel
If - 正向电流: 50 mA
**集电极/发射极电压: 35 V
**集电极电流: 50 mA
绝缘电压: 3750 Vrms
**集电极/发射极饱和电压: 0.2 V
Vf - 正向电压: 1.4 V
Pd-功率耗散: 170 mW
**工作温度: + 100 C
**小工作温度: - 55 C
封装: Reel
商标: Broadcom / Avago
配置: 1 Channel
电流传递比: 150 %
下降时间: 18 us
高度: 2 mm
长度: 3.6 mm
上升时间: 18 us
工厂包装数量: 3000
宽度: 4.4 mm
产品架构图
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