电子元器件及组件
安华高光耦HCPL-817-30DE深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-11 18:38:09 产品编号:GY-5-94571343  分享
价格:未填
品牌:安华高
发货:3天内
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  光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。 

  就抗干扰设计而言,很多场合下,我们既能采用光电耦合器隔离驱动,也能采用继电器隔离驱动。一般情况下,对于那些响应速度要求不很高的启停操作,我们采用继电器隔离来设计功率接口;对于响应时间要求很快的控制系统,我们采用光电耦合器进行功率接口电路设计。这是因为继电器的响应延迟时间需几十ms,而光电耦合器的延迟时间通常都在10us之内,同时采用新型、集成度高、使用方便的光电耦合器进行功率驱动接口电路设计,可以达到简化电路设计,降低散热的目的。

在线性电路上的应用
线性光电耦合器应用于线性电路中,具有较高地线性度以及优良地电隔离性能。
特殊场合的应用
光电耦合器还可应用于高压控制,取代变压器,代替触点继电器以及用于A/D电路等多种场合。

安华高光耦HCPL-817-30DE深圳现货技术参数价格
价格:5
制造商: Broadcom Limited
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: PDIP-4 Gull Wing
输出类型: NPN Phototransistor
通道数量: 1 Channel
If - 正向电流: 50 mA
**集电极/发射极电压: 35 V
**集电极电流: 50 mA
绝缘电压: 5000 Vrms
**集电极/发射极饱和电压: 0.2 V
Vf - 正向电压: 1.4 V
Vr - 反向电压 : 6 V
Pd-功率耗散: 200 mW
**工作温度: + 100 C
**小工作温度: - 30 C
封装: Tube
商标: Broadcom / Avago
配置: 1 Channel
电流传递比: 600 %
下降时间: 18 us
高度: 3.5 mm
长度: 4.6 mm
上升时间: 18 us
工厂包装数量: 100
宽度: 6.5 mm
产品参数图 
产品架构图
产品架构图

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