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安华高光耦CNY17-2-000E现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-11 17:59:33 产品编号:GY-5-94567730  分享
价格:未填
品牌:安华高
发货:3天内
信息标签:安华高光耦CNY17-2-000E现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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从光耦合器的转移特性与温度的关系可以看出,若使光耦合器构成的模拟隔离电路稳定实用,则应尽量消除暗电流(ICBO)的影响,以提高线性度,做到静态工作点IFQ随温度的变化而自动调整,以使输出信号保持对称性,使输入信号的动态范围随温度变化而自动变化,以抵消β值随温度变化的影响,保证电路工作状态的稳定性。

  光耦令电流If的静态工作点值大约为10 mA,对应的光耦工作温度在0~100℃变化,值在20~15 mA之间。一般PWM芯片的三角波幅值大小不超过3 V,由此选定电阻R4的大小为670Ω,并同时确定TL431的3脚电压的静态工作点值为12 V,那么可以选定电阻R3的值为560Ω。电阻R1与R2的值容易选取,这里取为27 k与4.7 k。电阻R5与电容C1为PI补偿,这里取为3 k与10 nF。
  实验中,半桥辅助电源输出负载为控制板上的各类控制芯片,加上多路输出中各路的死负载,**后的实际功率大约为30 w。实际测得的光耦4脚电压(此电压与芯片三角波相比较,从而决定驱动占空比)波形,如图9所示。对应的驱动信号波形。
  驱动波形有负电压部分,是由于上、下管的驱动绕在一个驱动磁环上的缘故。可以看出,驱动信号的占空比比较大,大约为0.7。
 
安华高光耦CNY17-2-000E现货技术参数价格资料:
价格:1
制造商: Broadcom Limited
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: PDIP-6
输出类型: NPN Phototransistor
通道数量: 1 Channel
If - 正向电流: 300 uA
**集电极/发射极电压: 70 V
**集电极电流: 150 mA
绝缘电压: 5000 Vrms
**集电极/发射极饱和电压: 0.3 V
Vf - 正向电压: 1.7 V
Vr - 反向电压 : 6 V
Pd-功率耗散: 250 mW
**工作温度: + 100 C
**小工作温度: - 55 C
封装: Tube
商标: Broadcom / Avago
配置: 1 Channel
电流传递比: 125 %
下降时间: 10 us
高度: 3.5 mm
长度: 7.3 mm
上升时间: 10 us
工厂包装数量: 65
宽度: 6.5 mm
产品参数图 
产品架构图
产品架构图

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