光耦中的电阻
  半导体器件的PN结中总有结电容的存在，具有对电荷存储的作用，这使得器件的工作频率变低响应变慢。并接电阻，提供结电容的电荷泄放通路，可以提高响应速度，在输入高速开关量信号时，才可以看出此电阻的作用，能显着提高器件的反应速度。并接电阻应该还有另一个作用，即是将输入电路由“高阻态”变为“低阻态”，消解异常噪波，提高抗干扰能力。
  光耦的静态工作点值大约为10 mA，对应的光耦工作温度在0～100℃变化，值在20～15 mA之间。一般PWM芯片的三角波幅值大小不超过3 V，由此选定电阻R4的大小为670Ω，并同时确定TL431的3脚电压的静态工作点值为12 V，那么可以选定电阻R3的值为560Ω。电阻R1与R2的值容易选取，这里取为27 k与4.7 k。电阻R5与电容C1为PI补偿，这里取为3 k与10 nF。

安全规范认证：
- UL 1577 3,750Vrms/1min (File E55361)

选择包括：
- 020 = UL 5000Vrms/1 min
- 000E = 无铅

应用
IPM 接口隔离
隔离 IGBT/MOSFET 门驱动
交流和无刷直流伺服电机驱动
工业变频器

安华高光耦HCNR200-300E现货技术参数价格：
价格：1