安华高光耦HCNR201#500现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-08 22:21:20 产品编号:GY-5-94129292 分享
价格:未填
品牌:安华高
发货:3天内
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作为新一代功率半导体器件,IGBT器件具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点,是自动控制和功率变换的关键核心部件,被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电等产业中。在轨道交通领域,牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件,而IGBT是牵引传动系统的核心部件。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提高用电质量,节电30%以上。IGBT器件产业分为IGBT芯片设计、芯片制造和IGBT器件封装三部分。其中芯片设计和制造又是**为**的环节,高端IGBT芯片的成本约占IGBT模块的50%左右。
开关特性:
(1) 由于IGBT具有晶体管特征,为双极性器件,具有少子注入效应,可以改变PN结的电阻,从而具有电导调制效应,即开通后电流愈大,电阻愈小,不满足欧姆定律;
(2) 由于IGBT又有MOSFET特性,为单极性器件特点,满足欧姆定律,通态时,电压大,则电流大;
(3) 一般IGBT是由许多IGBT单元并联而成,由于IGBT双极性的电导调制效应,当IGBT打开时,di/dt大。若只有部分IGBT单元开通,则大电流集中在开通的IGBT单元中,电流密度骤增,称之为“束流效应”;
(4) IGBT中产生了一个晶闸管,当它起主导作用时,α、dv/dt及漏电流发生变化,都可能使 ,从而产生“闭锁效应”。其中α1和α2分别为IGBT中两个晶体管的放大系数。
安华高光耦HCNR201#500现货技术参数价格资料
制造商: Broadcom Limited
产品种类: 高线性光耦合器
RoHS: 否
封装 / 箱体: DIP-8 Gull Wing
输出类型: Photodiode
通道数量: 1 Channel
绝缘电压: 5000 Vrms
If - 正向电流: 20 mA
Vf - 正向电压: 1.6 V
Vr - 反向电压 : 2.5 V
Pd-功率耗散: 60 mW
**工作温度: + 100 C
**小工作温度: - 55 C
封装: Reel
商标: Broadcom / Avago
电流传递比: 0.36 % to 0.72 %
高度: 4 mm
长度: 11.15 mm
工厂包装数量: 750
宽度: 9 mm
产品架构图
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