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品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGPF4565深圳现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  仙童IGBT单管FGPF4565的封装和连接技术充分利用了硅的能力，从而产生了一个具有良好成本效益的解决方案。具有输人阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点，应用在变频器的主电路逆变器及一切逆变电路，即DC／AC变换中，如电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。

  电气特性
  电气性能为额定电流20A，耐压值为600V，直流母线耐压值450V，浪涌值为500V。**开关频率为20KHz。在双PWM变频器中，整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。

HGTG20N60A4D
SGH20N60RUFDTU
FGL40N120ANDTU
FGL40N120ANTU
FSB50550UTD
FSBB15CH60
FGH30S150P
FGH12040WD_F155
FGL12040WD
FGY40T120SMD
FGY120T65SPD_F085
FGY160T65SPD_F085
FGD5T120SH
FGA40S65SH
FGH40T70SHD_F155
FGA5065ADF
FGH75T65SHDTL4

IGBT在电磁炉中的运用
   IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.88 V
栅极/发射极**电压: 25 V
在25 C的连续集电极电流: 170 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 30 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 170 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 1000
单位重量: 2.270 g


产品封装尺寸结构图