价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FNB41560B2现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FNB41560B2为进一步降低开关功率损耗,在同一封装内还集成了一个超**软恢复二极管。高压端晶体管的开关频率选在20kHz的另一个好处是输出电感可以做得很小,使谐波分量的滤除非常容易。此外,不要求短路率,因为当逆变器输出短路时,输出电感L1和L2将限制电流di/dt,从而给控制器留出足够的反应时间。
仙童IGBT单管现货资料
FGA25N120ANTDTU
FGH30T65UPDT_F155
FGA50N100BNTDTU
FGH40N60UFDTU
FGA40N65SMD
FGH40N60SFDTU_F085
FGA30N60LSDTU
FGH40N60SMD_F085
FGH60T65SHD_F155
FGA30S120P
FGA6065ADF
FGH40N60SMDF_F085
FGA60N60UFDTU
FGH60N60UFDTU_F085
FGA30N120FTDTU
FGH75T65SHD_F155
HGTG30N60B3
FGH75T65UPD
FGH60N60SMD
FGH40N120ANTU
FGH50N3
FGH60N60SFDTU
FNA41060
FNB41060
产品特征:
(1)集成了**的第6代IGBT芯片及驱动IC,实现业界**高水准的低损耗(较富士电机以往产品减少20%)、低放射干扰;
(2)在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能(4种信号);
(3)体积与以往相比减小80%,产品更小、更薄。
IGBT工作原理
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
仙童IGBT单管FNB41560B2现货参数价格
价格:8
制造商: Fairchild Semico
nductor
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
Pd-功率耗散: 34 W
封装 / 箱体: SPM26-AA
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semico
nductor
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
系列: SPM45
工厂包装数量: 72
单位重量: 17.088 g
产品封装尺寸结构图