价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH75T65UPD_F085现货参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGH75T65UPD_F085通过采用沟道构造,使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值),由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值,因此可轻松实现使用多个 IGBT模块的并联构成。
电气特性
电气性能为额定电流20A,耐压值为600V,直流母线耐压值450V,浪涌值为500V。**开关频率为20KHz。在双PWM变频器中,整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。
产品特征:
(1)集成了**的第6代IGBT芯片及驱动IC,实现业界**高水准的低损耗(较富士电机以往产品减少20%)、低放射干扰;
(2)在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能(4种信号);
(3)体积与以往相比减小80%,产品更小、更薄。
仙童IGBT单管FGH75T65UPD_F085现货技术参数价格
价格:3
制造商: Fairchild Semico
nductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 2.21 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 375 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semico
nductor
集电极**连续电流 Ic: 75 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 450
单位重量: 6.390 g
产品封装尺寸结构图
安装使用注意事项
a) 防静电:
IGBT的门极对静电等非常敏感。人体等所携带的静电以及栅极-发射极间施加过高电压(±20V以上),都可能导致IGBT因栅极击穿而损坏。因此在使用产品是遵守以下所述的注意点:
**、使用模块时,先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻(1MΩ左右)接地放电后,再在接地的导电性垫板上进行操作。
第二、使用IGBT模块时,要拿封装主体,不要直接触碰端子(特别是控制端子)部。
第三、对IGBT端子进行锡焊作业的时候,为了避免由烙铁,烙铁焊台的泄漏产生静电外加到IGBT上,烙铁前端等要用十分低的电阻接地
第四、IGBT模块是在用IC泡沫材料等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的,这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除。