品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGAF20N60SMD现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGAF20N60SMD现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-08 16:23:17 产品编号:GY-5-94093875 分享
价格:未填
品牌:仙童
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仙童IGBT单管FGAF20N60SMD专门针对高频运用开发的新型IGBT智能模块，特别适用于变频器、交流伺服电机系统、UPS、电焊机电源等领域。采用GPT工艺制造，相对于PTPT （Punch-Through）IGBT有更多的性能优势：
仙童IGBT单管现货资料
FSAM75SM60A
FPF2C8P2NL07A
FGD3N60UNDF
FGI3040G2_F085
FGH40T65SHDF_F155
FGAF40N60UFTU
FGH40T65SHD_F155
FGH40N60SFDTU
FGH40N60UFTU
FGH15T120SMD_F155
FGA20N120FTDTU
FGH40N60SFTU
FGA6540WDF
FGH40T100SMD
FGH40N65UFDTU
FGAF40N60SMD
FGH40N65UFDTU_F085
FGH50T65UPD
FGH30S130P
FGH25T120SMD_F155
FGA6560WDF
FGH60N60SFDTU_F085
FGH60N60SMD_F085
FGAF20N60SMD特点
通过直接检测连接处温度保护
低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路
FGAF20N60SMD性能优势：
1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
2.VCE（SAT）与温度成正比，易于并联。
3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当温度升高时，其开关损耗比PT-IGBT小。因此，P系列更适合高频应用。
4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区，RBSOA（反偏安全工作区）和SCSOA（短路安全工作区）都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大简化，同时，短路承受能力大大提高。
6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
FSAM75SM60A
FPF2C8P2NL07A
FGD3N60UNDF
FGI3040G2_F085
FGH40T65SHDF_F155
FGAF40N60UFTU
FGH40T65SHD_F155
FGH40N60SFDTU
FGH40N60UFTU
FGH15T120SMD_F155
FGA20N120FTDTU
FGH40N60SFTU
FGA6540WDF
FGH40T100SMD
FGH40N65UFDTU
FGAF40N60SMD
FGH40N65UFDTU_F085
FGH50T65UPD
FGH30S130P
FGH25T120SMD_F155
FGA6560WDF
FGH60N60SFDTU_F085
FGH60N60SMD_F085
FGAF20N60SMD特点
通过直接检测连接处温度保护
低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路
FGAF20N60SMD性能优势：
1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
2.VCE（SAT）与温度成正比，易于并联。
3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当温度升高时，其开关损耗比PT-IGBT小。因此，P系列更适合高频应用。
4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区，RBSOA（反偏安全工作区）和SCSOA（短路安全工作区）都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大简化，同时，短路承受能力大大提高。
6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
仙童IGBT单管FGAF20N60SMD现货技术参数价格资料
价格：5
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极**电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 62.5 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PF
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 360
单位重量: 7 g
产品封装尺寸结构图
价格：5
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极**电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 62.5 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PF
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
**小工作温度: - 55 C
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单位重量: 7 g
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联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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