仙童IGBT单管FGA20S125P_SN00336针对高功率IGBT应用市场研发的一款产品。不仅**解决了焊接工艺易产生空洞、焊接材料的热疲劳和单面散热效率低下的难题，还消除了因各种零部件产生的热阻、减小了体积和重量，大大提高了IGBT的工作效率和可靠性，非常适宜于未来柔性直流输电系统对换流阀器件的大功率、高电压、高可靠性要求。

FGA20S125P_SN00336保管注意事项：

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

仙童IGBT单管FGA20S125P_SN00336现货技术参数价格
价格：8
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 17 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
工厂包装数量: 1000
单位重量: 2.270 g


产品封装尺寸结构图

使用操作说明
请在处理过程中提供静电放电保护。混合驱动未完全装配，输入端子必须短路。设备工作人员必须佩戴接地手镯。甚至在运输期间，输入端子也要短路，工作台必须接地。相同的安全性要求适用于MOSFET-和IGBT模块。
DC电路中的任何寄生电感必须**小化，过呀可通过C-或RCD-吸收PLUS主端子和电源模块的减号之间的缓冲器。
当**次操作一个新开发的电路，建议运用低集电极电压和负载电流，从开始逐渐增加这些值，并观察记录续流二极管的关断特性和管段电压尖峰横跨在I GBT中产生。必须进行示波控制。此外，模块温度需要监控。
混合动力驱动器的输入是到过电压敏感，因此控制信号的过压电压超过上述值必须加以避免。混合动力驱动器和功率模块之间的连接阴险应尽可能的短（小于20cm），超过20CM需要用双引线。