价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管SGP23N60UFTU现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  仙童IGBT单管SGP23N60UFTU内含有转换器二极管桥式动态制动电路，采用FS新技术，是针对KE3、KF3系列产品，主要是从降低损耗方面改进。说明其技术水平与欧派克同步发展，产品中的电流定在Tc-80℃标出的。高速、低饱和压降。Vce小于等于2.1V、Ton小于等于1.2微秒。Toss小于等于1.0微秒。Tf小于等于0.3微秒。产品性能在国产变频器产品及不间断电源中推广应用具有广阔的前景。

产品特点：
    ·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度
    ·低功耗和软开关
    ·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
    ·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性

典型特征如下：
1)输入阈值电流(IF)：5mA（**）。
2)电源电流（Icc）：llmA（**）。
3)电源电压(Vcc)：10~35V。
4)开关时间（tPLH/tPHL）：0.5μs（**）。
5)隔离电压：2500Vpms（**小）。
使用TLP250时应在引脚8和5问连接一个0.1μF的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作，提供的旁路作用失效会损坏开关性能，电容和光耦合器之间的引线长度不应超过lcm。

SGP23N60UFTU关断过程
  IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
   **段是按照MOS管关断的特性的
   第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。
   除了关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
   漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。