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仙童IGBT单管ISL9V5045S3ST_F085参数价格
发布时间:2016-08-08 15:52:21 产品编号:GY-5-94088402  分享
价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
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  仙童IGBT单管ISL9V5045S3ST_F085针对大功率市场研发的新一代IGBT模块产品,广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑产品之一。

产品特点:
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度
·低功耗和软开关
·兼容现有IPM - N系列套餐
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性

性能优势:
  1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
  2.VCE(SAT)与温度成正比,易于并联。
  3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小,当温度升高时,其开关损耗比PT-IGBT小。因此,P系列更适合高频应用。
  4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
  5.P系列,尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区,RBSOA(反偏安全工作区)和SCSOA(短路安全工作区)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍,SCSOA可达额定电流的十倍。因此,吸收电路可大大简化,同时,短路承受能力大大提高。
  6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2,大大降低了EMI噪声。

  仙童IGBT单管ISL9V5045S3ST_F085现货技术参数价格
价格:3
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 480 V
集电极—射极饱和电压: 1.25 V
栅极/发射极**电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 51 A
Pd-功率耗散: 300 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
**工作温度: + 175 C
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 43 A
**小工作温度: - 40 C
工厂包装数量: 800
单位重量: 2.240 mg
  产品技术参数图

产品封装尺寸结构图
产品封装尺寸结构图

联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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