价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGA3060ADF现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGA3060ADF产品涵盖了芯片、分离二极管/晶闸管、功率模块、驱动电路、保护元件以及集成予系统。产品是一种**的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,也大大增强了系统的可靠性,适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(PIC),在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。
电气特性
电气性能为额定电流20A,耐压值为600V,直流母线耐压值450V,浪涌值为500V。**开关频率为20KHz。在双PWM变频器中,整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。
产品作用和功能
(1)过电流保护。检测连接在直流N母线上的电流检测分流电阻R的两端电压来进行过电流保护。在约5ms期间内连续超过过电流保护标准,则会软关断IGBT。并且装有检测滤波器,可以防止因瞬间过电流及噪音而导致的误动作。
(2)短路保护功能。在短路保护动作时,全部短路保护连动,来抑制负载短路及桥臂短路时的峰值电流
(3)控制电源电压下降保护功能。控制电源电压在约5ms期间内连续低于控制电源电压不足保护电压时,该功能会软关断IGBT。约过2ms后,控制电源电压恢复后,如果输入信号为OFF,则警报解除。
仙童IGBT单管FGA3060ADF现货技术参数价格资料
价格:4
制造商: Fairchild Semico
nductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极**电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 176 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semico
nductor
集电极**连续电流 Ic: 60 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 450
单位重量: 6.401 g
产品封装尺寸结构图
模块到散热器的安装
为了避免基板的不必要的拉伸和张力,散热器必须保证硬度并避免在安装和运输过程中的变形。 所有的安装螺钉都必须按照统一的特定的扭矩。使用电子控制的或者至少低速电子螺丝刀可以确保这个扭矩。这个工作也可以通过定扭矩扳手来手工完成。考虑到精度问题,我们建议**不要使用气动螺丝刀。
为了使导热剂均匀发布,确保散热器的接触点控制。我们建议在涂覆导热剂和模块定位到散热器上以后,按照以下步骤来拧紧172×89模块上的10个螺丝(或者250×89模块上的14个螺丝): 1. 通过对角线上的螺丝慢慢固定模块。例如PrimePack2上的螺丝7—8(PrimePack2上的螺丝11—12),用手缓慢按压模块并轻轻转动来分布导热剂。 2. 3. 按照6Nm±10%的扭力拧紧螺丝,如图7所示:PrimePack2的1-10和PrimePack3的1-14,按照途中数字顺序拧紧。 如果利用高粘度的导热剂,我们建议在1步与2步之间加入一步1.a: 1.a 按照之前相同的方向以2Nm±15%的扭力拧紧螺丝,通过附加的这一步骤,可以是导热剂能更好的分布开并填满空隙。 4.母线排与模块功率端子的连接 集电极的功率端子与发射极的功率端子一样,需要与母线排有很好的电接触和热接触。母线排的接触面一定要标准,才能避免模块上另外的发热。 母线排必须按照下面的方法来连接到功率端子,在装配过程中这些力都不能超过图8所示的值。