仙童IGBT单管FGP15N60UNDF现货技术参数价格资料_供应

仙童IGBT单管FGP15N60UNDF现货技术参数价格资料

发布时间:2016-08-08 15:42:47 产品编号:GY-5-94086602 分享

价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGP15N60UNDF现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGP15N60UNDF采用FS新技术，是针对欧派克KE3、KF3系列产品，主要是从降低损耗方面改进。高速、低饱和压降。Vce小于等于2.1V、Ton小于等于1.2微秒。Toss小于等于1.0微秒。Tf小于等于0.3微秒。该系列IGBT模块的产品性能在国产变频器产品中推广应用具有广阔的前景。是具有低电感结构典型的平面非穿通型IGBT模块，目前为止其应用领域涵盖逆变器应用、不间断电源应用、交流伺服系统应用、电机应用、工业焊机应用多个领域。

仙童IGBT单管现货资料
FGH60N60SFTU
FGH25N120FTDS
FGH75T65UPD_F085
SGL50N60RUFDTU
FGA50N100BNTD2
FGH30N60LSDTU
FSBB20CH60
FSBB20CH60F
FSBB20CH60CL
FGP5N60LS
FGB5N60UNDF
FGPF4565
FGP10N60UNDF
FGPF10N60UNDF
FGB3040G2_F085
FGI3236_F085
SGP23N60UFTU
FGA20S125P_SN00336
FGA15S125P

FGP15N60UNDF特征

•高电流能力

•低饱和电压VCE（SAT）：= 1.9 V（典型值。）@ IC = 40

•高输入阻抗

•**切换

•符合RoHS

仙童IGBT单管FGP15N60UNDF现货技术参数价格资料
价格：6
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 10 uA
Pd-功率耗散: 178 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 800
单位重量: 1.800 g
产品技术参数图

产品封装尺寸结构图

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702

QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/

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