仙童IGBT单管FGD3440G2_F085含有多个耐压规格等级针对多种整流桥电路设计。产品封装材料采用金属化三氧化二铝陶瓷绝缘，具有很好的导热性，采用高温焊料焊接，保证了器件的可靠性。产品在变频器、开关电源、电焊机行业器件中广泛应用。 IGBT结构仍与原始组装方法密切相关。一个或多个陶瓷板DCB（直接铜绑定Direct Copper Bond）焊接到铜底板上， 铜底板也是散热器的安装表面。DCB包含一个两侧喷涂有铜的Al2O3或AlN薄绝缘基板。
芯片的底面焊接到DCB顶部（IGBT：集电极，二极管：通常为阴极）。平行的铝绑定线将芯片顶部（IGBT：栅极和发射极，二极管：阳极）连接到DCB基板相应的衬垫上。有的模块端子直接焊接到这些衬垫上，也有很多端子采用焊接连接或绑定连接机械固定在模块外壳中。

  特点
  通过直接检测连接处温度保护
  低功耗和软开关
  高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
  因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路

  IGBT单管FGD3440G2_F085工作原理　
   IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

 仙童IGBT单管FGD3440G2_F085现货技术参数价格
价格：8
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
集电极—发射极**电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.1 V
栅极/发射极**电压: 14 V
在25 C的连续集电极电流: 26.9 A
Pd-功率耗散: 166 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
**工作温度: + 125 C
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
**小工作温度: - 40 C
工厂包装数量: 2500
单位重量: 260.370 mg


产品封装尺寸结构图