价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGD3245G2_F085现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  仙童IGBT单管SGF5N150UFTU是新型IGBT之一，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，能实现高效和可靠的逆变器系统。电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

产品优势： 
    • 超低损耗，确保高效率及开关速度。
    • 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
    • 高短路能力降低了保护需求。
    • 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
    • **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

保护功能
(1)外壳温度过热保护功能。该保护功能通过与功率芯片安装在同一陶瓷基板上的温度检测元件来检测绝缘基板温度，当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时，会软关断IGBT。
  (2)芯片温度过热保护功能。该功能将通过在全部IGBT芯片上的温度检测元件来检测IGBT芯片温度，当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时，会软关断IGBT。
  (3)警报输出功能。保护功能动作时，警报输出端子相对各基准电位GND导通，有能力以放开集电极输出，直接驱动光耦器，内置1.5KΩ的串联电阻。保护功能动作时，警报信号输出约持续2ms，当警报原因消除时，再经过2ms以上，而且输入信号为OFF的话，则警报解除。下桥臂各驱动电路的警报端子相互连接，所以任何一个IGBT一旦输出警报，则包括制动电路在内的下桥臂全部IGBT停止。

IGBT工作原理   
  IGBT开通过程
  1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间
  2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。   
   除了开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i。
  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块关断过程
  IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
   **段是按照MOS管关断的特性的
   第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。
   除了关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
   漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。