品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH75T65SHDTL4现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGH75T65SHDTL4现货技术参数价格
发布时间:2016-08-08 14:45:47 产品编号:GY-5-94075323 分享
价格:未填
品牌:仙童
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信息标签:仙童IGBT单管FGH75T65SHDTL4现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGH75T65SHDTL4是**的第三代功率模块具有电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它同领域的功率器件。
选择和使用注意事项：
①请在产品的**额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦超出**额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加超出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用！工作使用频率愈高,工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏（特别是IGBT和FRED模块需要专业的测试设备，请勿使用非专业的设备测试其电压的**值）。
②驱动电路：由于IGBTVce（sat）和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为+VG=14～15V，-VG=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求；栅极电阻Rg与IGBT的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间**折衷（与频率有关）选择合适的Rg值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅极开路，建议靠近栅极与发射极间并联20K～30KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。
③保护电路：IGBT模块使用在高频时布线电感容易产生尖峰电压，必须注意减少布线电感和元件的配置，应注意以下保护项目：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过温保护。
④吸收电路：由于IGBT开关速度快，容易产生浪涌电压，必须设有浪涌钳位电路。
⑤并联使用：应考虑栅极电路、线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。
⑥使用时请避开产生腐蚀气体和严重尘埃的场所。
产品封装尺寸结构图
选择和使用注意事项：
①请在产品的**额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦超出**额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加超出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用！工作使用频率愈高,工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏（特别是IGBT和FRED模块需要专业的测试设备，请勿使用非专业的设备测试其电压的**值）。
②驱动电路：由于IGBTVce（sat）和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为+VG=14～15V，-VG=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求；栅极电阻Rg与IGBT的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间**折衷（与频率有关）选择合适的Rg值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅极开路，建议靠近栅极与发射极间并联20K～30KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。
③保护电路：IGBT模块使用在高频时布线电感容易产生尖峰电压，必须注意减少布线电感和元件的配置，应注意以下保护项目：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过温保护。
④吸收电路：由于IGBT开关速度快，容易产生浪涌电压，必须设有浪涌钳位电路。
⑤并联使用：应考虑栅极电路、线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。
⑥使用时请避开产生腐蚀气体和严重尘埃的场所。
仙童IGBT单管FGH75T65SHDTL4现货技术参数价格
价格：8
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 455 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 150 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 450
价格：8
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 455 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 150 A
**小工作温度: - 55 C
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联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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