电子元器件及组件
仙童IGBT单管FGA40S65SH现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-08 14:35:17 产品编号:GY-5-94073429  分享
价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGA40S65SH现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫
点击这里QQ咨询
联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠!如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名,点击立即免费注册,发布产品推广
  仙童IGBT单管FGA40S65SH是针对中高频率应用市场开发的,在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化,其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥**优良特性 。而在典型情况下,IGBT的优化,所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时,是让通态电压偏大,以换取偏低的开关功耗,从而能在高频应用中实现**的总功耗。 主要应用领域:医疗应用 、 电机传动 、谐振逆变器应用 、伺服驱动器、 UPS系统 。

FGA40S65SH特点
通过直接检测连接处温度保护
低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路

FGA40S65SH电气特性
 电气性能为额定电流20A,耐压值为600V,直流母线耐压值450V,浪涌值为500V。**开关频率为20KHz。在双PWM变频器中,整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。

仙童IGBT单管FGA40S65SH现货参数价格
价格:2制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
Pd-功率耗散: 455 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 75 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 450
技术: SiC
单位重量: 38 g
产品技术参数图

产品封装尺寸结构图
产品封装尺寸结构图
    使用注意事项:
    在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
    此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
    在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
去海飞乐技术有限公司怎么走?上图中的红点是海飞乐技术有限公司在深圳市的具体位置标注,操作左上角地图工具可以放大缩小哦。
相关信息
[电子元器件及组件] 推荐供应
最新发布信息
点击分享到微信、朋友圈、QQ...
字母索引:  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z

首页 | 公司 | 求购 | 供应 | 商城 | 招商 | 展会 | 行情 | 品牌 | 产品

联系我们 | 刷新 | 返回顶部

©2004-2024  贸易商务资源网(ceoie.com)  版权所有