仙童IGBT单管FGD5T120SH深圳现货技术参数价格资料_供应

仙童IGBT单管FGD5T120SH深圳现货技术参数价格资料

发布时间:2016-08-08 14:31:46 产品编号:GY-5-94072818 分享

价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGD5T120SH深圳现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGD5T120SH针对460-750Vac的变频器，AFE，SVG，感应加热应用领域开发发售的模块，和已经应用的1700v标准模块相比，FF800R17KE3主要损耗减少了大约20%。除了极低的静态和动态损耗外，FF800R17KE3表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态，尤其适合如e1/e2类型这样的大电流模块。尽管FF800R17KE3的损耗较低，但它的短路电流和开关强度均较大，而且，独特的软穿通结构的电磁干扰很小。spt技术发展的同时，新的软**恢复二极管也被开发用于辅助spt的特性。新的二极管在任意条件工作时，表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用，二极管也要求正的温度系数。

FGD5T120SH特征：
（1）集成了**的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界**高水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰；
（2）在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）；
（3）体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。

仙童IGBT单管FGD5T120SH深圳现货技术参数价格资料
价格：8
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.9 V
栅极/发射极**电压: +/- 25 V
在25 C的连续集电极电流: 10 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
Pd-功率耗散: 69 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D-PAK-3
**工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 10 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 2500
单位重量: 260.400 mg
产品技术参数图

产品封装尺寸结构图

使用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；
在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；
尽量在底板良好接地的情况下操作。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
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