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品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGY120T65SPD_F085参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGY120T65SPD_F085采用脉冲电源有断续供电的特性,在很多工控领域都获得了广泛的应用。比如说高能量物理、粒子加速器、金属材料的加工处理、食品的杀菌消毒、环境的除尘除菌等方面,都需要这样一种脉冲能量--可靠、高能量、脉宽和频率可调、双极性、平顶的电压波形。无论将此高功率脉冲电源用于何种用途,高压脉冲电源均是其设计的核心部分。解决了一般采用工频变压器升压的传统高功率脉冲电源笨重、获得的脉冲频率范围有限、重复频率难以调节、脉冲波形易变化、可靠性较低、控制较困难及成本较高的诸多问题。
FGY120T65SPD_F085特点
通过直接检测连接处温度保护
低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路
IGBT FGY120T65SPD_F085在电磁炉中的运用
IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计,而如果使用了零电压开关(ZVS)技术,可以大幅降低导通损耗。然而,并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压,零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下,储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V,因此未实现零态开关,导通功率损耗将增加。
仙童IGBT单管FGY120T65SPD_F085现货技术参数价格
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极**电压: +/- 25 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
Pd-功率耗散: 555 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
**工作温度: + 175 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
集电极**连续电流 Ic: 40 A
**小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 450
产品封装尺寸结构图
保管时的注意事项
一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。