基于TMR（隧道磁电阻）效应的电流传感器：
TMR磁感应技术在2004年首次工业应用于电脑硬盘领域， 使硬盘的存储密度有了质的飞跃，单碟TB级的存储硬盘进入民用市场。经过近10年的发展，TMR技术依然焕发勃勃生机。TMR磁感应效应和Hall技术类似，算是第四代磁感应技术。灵敏度，分辨率，功耗，温度特性都有10倍以上的提升。全芯片级制程控制提供可靠的品质和合理的价格。现在国内有些厂家开始推出TMR技术的电流传感器。基于TMR芯片制造的电流传感可以在高灵敏度，温度稳定性，抗干扰性，小型化、集成化、智能化和低功耗方面有着出色的表现。
 
 使用注意事项
在大多数场合，霍尔传感器都具有很强的抗外磁场干扰能力，一般在距离模块5-10cm之间存在一个两倍于工作电流Ip的电流所产生的磁场干扰是可以忽略的，但当有更强的磁场干扰时，要采取适当的措施来解决。通常方法有：
① 调整模块方向，使外磁场对模块的影响**小;
② 在模块上加罩一个抗磁场的金属屏蔽罩;
③ 选用带双霍尔元件或多霍尔元件的模块;
④ 测量的**精度是在额定值下得到的，当被测电流远低于额定值时，要获得**精度，原边可使用多匝，即：IpNp=额定安匝数。另外，原边馈线温度不应超过80℃。

田村电流传感器L03S400D15深圳代理现货参数资料
额定电流(IPN) ： 见“选型指南” A.t rms
测量范围(IPK) ： 见“选型指南” A.t rms
测量电阻 ：(+/-15V 电源) ≥10 kΩ
模拟输出电压(VSN) ：@ IPN 4 V
精度(X) ：+25°C 优于±2 %In
供电电压(VCC) ： ±15(±5%) V
电流消耗(ICC) ：典型值 17 mA
绝缘测试电压(VD) ：50Hz/1min. 3 kV
额定绝缘电压(VＩ) ：加强型 849 V
精度-动态参数
零点失调电压 ：@+25°C ≤±20 mV
失调电压温飘 ：IPN =50A ≤±3 mV/°C
IPN =100…600A ≤±1.5 mV/°C
线性度 ： 优于±1 %
增益电压温飘 ： ≤±4 mV/°C
响应时间 ：@90% 3~7 μs
频带宽度 ： DC...50 kHz
di/dt **跟随 ： ≥50 A/μs
常规参数
工作温度范围 ： -10…+80 °C
储存温度范围 ： -25…+85 °C
原边孔径 ： 10.4×20.4 mm
副边连接 ： Molex 5045-04
重量 ：典型值 46 g
传感器外壳材料 ： PC (UL94-V0 级)

田村电流传感器L03S400D15参数图