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赛米控IGBT模块SKM101RZR原装现货参数资料
发布时间:2016-07-21 17:59:10 产品编号:GY-5-91492829  分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKM101RZR原装现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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    赛米控IGBT模块SKM101RZR  IGBT的过电流、过电压等信号的双电平保护,具有动作门限准确、动作迅速及可靠性高的特点。它具有两级翻转电平,当达到**级翻转电平时(额定值的120%)给出报警信号,在过载信号消失后能自动复位。当达到第二级翻转电平时(160%),电路自动翻转并保持和记忆翻转状态,使被保护器件自动封锁。此保护电路适用于以晶体管、GTR、IGBT、功率MOSFET、GTO 等为主功率器件的电力电子装置中作为器件保护用。

赛米控IGBT模块SKM101RZR深圳现货参数资料

产品:

IGBT Silicon Modules

品牌和型号

赛米控SKM101RZR

配置:

Hex

集电极—发射极**电压 VCEO:

1200 V

在25 C的连续集电极电流:

54 A

**工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

EASY2B

商标:

Infineon Technologies

栅极/发射极**电压:

+/- 20 V

**小工作温度:

- 40 C

安装风格:

Screw

产品价格和中英文资料

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工厂包装数量:

15


赛米控IGBT模块SKM101RZR参数图
产品参数图

   IGBT器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的静态驱动功率接近于零。但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容CGs,因而在高频率的交替导通和关断时需要一定的动态驱动功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之内,对于大功率的绝缘栅功率器件,由于栅极电容CGs较大,在1~l00pF,甚至更大,因而需要较大的动态驱动功率。
IGBT栅极电压可由不同的驱动电路产生,栅极驱动电路设计的优劣直接关系到由IGBT构成的系统长期运行可靠性。正向栅极电压的值应该足够令IGBT产生完全饱和,并使通态损耗减至**小,同时也应限制短路电流和它所带来的功率应力。
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
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