品牌:赛米控
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信息标签:赛米控IGBT模块SKM150GB124D原装现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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赛米控IGBT模块SKM150GB124D原装现货参数资料
发布时间:2016-07-21 17:50:07 产品编号:GY-5-91491699 分享
价格:未填
品牌:赛米控
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赛米控IGBT模块SKM150GB124D IGBT 正常使用时是不会出现短路现象，尤其 IGBT不直接接负载的条件下。只要电路设计合理，IGBT设计在合理的工作区，输出电流不超过2倍额定值电流，过电流后采用正常的**关闭措施是**形式（2倍额定电流的安全工作区接近矩形）。即便是短路条件，只要电流上升率能够限制好，没有超过IGBT 正常工作区，**关闭依然是**（由于杂散电感，或者负载电感存在，此条件很好满足）。
一般认为IGBT本身与体二极管的耗散功率是一样的，PD是二者的和。不过，也有公司分别给出IGBT与体二极管的耗散功率，这种情况多半是采用了高速低压降的体二极管，体二极管的耗散功率要小一些；如果是低速应用，就要适当 降低PD，因为低速情况下高速体二极管的优势难以体现。
一般认为IGBT本身与体二极管的耗散功率是一样的，PD是二者的和。不过，也有公司分别给出IGBT与体二极管的耗散功率，这种情况多半是采用了高速低压降的体二极管，体二极管的耗散功率要小一些；如果是低速应用，就要适当 降低PD，因为低速情况下高速体二极管的优势难以体现。
赛米控IGBT模块SKM150GB124D深圳现货参数资料
|
产品种类： |
IGBT 模块 |
|
产品： |
IGBT Silicon Modules |
|
品牌和型号 |
赛米控SKM150GB124D |
|
配置： |
Dual |
|
集电极—发射极**电压 VCEO： |
1200 V |
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集电极—射极饱和电压： |
3.2 V |
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在25 C的连续集电极电流： |
275 A |
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栅极—射极漏泄电流： |
400 nA |
|
功率耗散： |
1.4 kW |
|
**工作温度： |
+ 125 C |
|
封装 / 箱体： |
62 mm |
|
商标： |
Infineon Technologies |
|
栅极/发射极**电压： |
+/- 20 V |
|
**小工作温度： |
- 40 C |
|
安装风格： |
Screw |
|
产品价格和中英文资料 |
联系我们咨询和索取 |
|
工厂包装数量： |
500 |
赛米控IGBT模块SKM150GB124D参数图
IGBT的过电流、过电压等信号的双电平保护，具有动作门限准确、动作迅速及可靠性高的特点。它具有两级翻转电平，当达到**级翻转电平时（额定值的120%)给出报警信号，在过载信号消失后能自动复位。当达到第二级翻转电平时(160%)，电路自动翻转并保持和记忆翻转状态，使被保护器件自动封锁。此保护电路适用于以晶体管、GTR、IGBT、功率MOSFET、GTO 等为主功率器件的电力电子装置中作为器件保护用。
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