电子元器件及组件
赛米控IGBT模块SKM294F深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 17:47:56 产品编号:GY-5-91491404  分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKM294F深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  赛米控IGBT模块SKM294F逆导型IGBT的正面结构与传统IGBT基本相同,不同之处在于其背面结构。在制造过程中逆导型IGBT要比传统IGBT多用一块到两块掩膜板,而且背面的版图设计与正面差别较大。一方面背面版图的图形尺寸很大,另一方面图形是非对称、非重复性的,而仿真不可能在对整个器件进行仿真,也就使得对逆导型IGBT一些参数的仿真是近似性的。然而背面版图设计的优劣直接决定了器件和整体性能,尤其是对于回跳现象的消除和二极管的特性的优化至关重要。这就使逆导型IGBT背面的版图布局成为一项关键技术。
   IGBT保护扩展模块具有超**的反应速度,从过电流采样到驱动电平降为卸荷电平,延时只有l10ns左右,根据此延时、杂散电感、驱动电压可以计算出IGBT的峰值电流,要控制在2 -6倍额定电流之间(具体可以参考IGBT 数据手册),通过卸荷将电流降低到 2倍电流以下,栅极保护波形。

赛米控IGBT模块SKM294F深圳现货参数资料

产品:

IGBT Silicon Modules

品牌和型号

赛米控SKM294F

配置:

Dual

集电极—发射极**电压 VCEO:

1200 V

集电极—射极饱和电压:

1.7 V

在25 C的连续集电极电流:

600 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

功率耗散:

2100 W

**工作温度:

+ 125 C

封装 / 箱体:

EconoDUAL-3

商标:

Infineon Technologies

栅极/发射极**电压:

+/- 20 V

**小工作温度:

- 40 C

安装风格:

Screw

产品价格个中英文PDF资料

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工厂包装数量:

12


赛米控IGBT模块SKM294F参数图
产品参数图

  有源缓冲电路通过增添辅助开关以减少开关损耗,但这也增加了主电路和控制电路的复杂程度,从而增加了成本,也降低了可靠性;RCD缓冲电路虽然结构**简单,价格**,但由于电阻消耗了能量,效率较低,在各种软开关技术中性能**差;而谐振变换器虽然实现了ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关),减少了开关损耗,但谐振能量必须足够大,才能创造ZVS或ZCS 条件,而且谐振电路中循环电流较大,还必须在特定的软开关控制器的控制信号下工作,增加了通态损耗、增加了成本、降低了可靠性。与这三种方法不同,无源无损缓冲电路既不使用有源器件,也不使用耗能元件,兼具有以上三种方法的优点。其结构与RCD缓冲电路一样简单,效率与有源缓冲电路、谐振变换器一样高,电磁干扰小、造价低、性能好、可靠性高,因而获得了广泛的应用。
无源无损缓冲电路虽然无法像有源软开关方案那样,在**或滞后主开关的控制时序下吸收能量或供给能量,以创造出真正的ZVS或ZCS 条件,但它通过将开关期间的电压与电流波形错牙,使二者的重叠面积**小,可以显著降低开关损耗。虽然开关器件内寄生结电容的放电损耗无法被无源无损缓冲电路所消除,但此种损耗较其他开关损耗低得多,对于提高整体效率作用较小。无源无损缓冲电路和其他软开关方案相比,它没有增加额外的辅助有源器件损耗,因此,在同样的开关损耗功率降低情况下,无源无损缓冲电路可以获得更高的效率提高。所以,无源无损缓冲电路被广泛地应用于PWM变换器中。
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
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