品牌:赛米控
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赛米控IGBT模块SKB30/02A1深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 17:43:49 产品编号:GY-5-91490836 分享
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赛米控IGBT模块SKB30/02A1逆导型IGBT的正面结构与传统IGBT基本相同，不同之处在于其背面结构。在制造过程中逆导型IGBT要比传统IGBT多用一块到两块掩膜板，而且背面的版图设计与正面差别较大。一方面背面版图的图形尺寸很大，另一方面图形是非对称、非重复性的，而仿真不可能在对整个器件进行仿真，也就使得对逆导型IGBT一些参数的仿真是近似性的。然而背面版图设计的优劣直接决定了器件和整体性能，尤其是对于回跳现象的消除和二极管的特性的优化至关重要。这就使逆导型IGBT背面的版图布局成为一项关键技术。
赛米控IGBT模块深圳现货：SK40GB067 62A 半桥(2单元) semitop 3
SK50GAL067 83A 斩波器模块 semitop 3
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SK40GAL067 62A 斩波器模块 semitop 3
SK50GAR067 83A 斩波器模块 semitop 3
SK30GARL067E 62A 斩波器模块 semitop 3
赛米控IGBT模块SKB30/02A1深圳现货参数资料
|
产品： |
IGBT Silicon Modules |
|
品牌和型号 |
赛米控SKB30/02A1 |
|
配置： |
Dual |
|
集电极—发射极**电压 VCEO： |
1200 V |
|
集电极—射极饱和电压： |
1.7 V |
|
在25 C的连续集电极电流： |
600 A |
|
栅极—射极漏泄电流： |
400 nA |
|
功率耗散： |
2100 W |
|
**工作温度： |
+ 125 C |
|
封装 / 箱体： |
EconoDUAL-3 |
|
商标： |
Infineon Technologies |
|
栅极/发射极**电压： |
+/- 20 V |
|
**小工作温度： |
- 40 C |
|
安装风格： |
Screw |
|
产品价格个中英文PDF资料 |
联系索取和咨询 |
|
工厂包装数量： |
12 |
赛米控IGBT模块SKB30/02A1参数图
缓冲电路（阻容吸收电路）主要用于抑制模块内部的IGBT单元的过电压和dv/dt或过电流的di/dt，同时减小IGBT的开关损耗。由于缓冲电路所需的电阻、电容的功率、体积都较大，所以在IGBT模块内部并没有专门集成该部分电路，因此，在实际的系统中设有缓冲电路，通过电容可把过电压的电磁能量变成静电能量储存起来，电阻可防止电容与电感产生谐振。如果没有缓冲电路，器件在开通时电流会迅速上升，di/dt也很大，关断时，dv/dt很大，并会出现很高的过电压，极易造成IGBT 器件的损坏。
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