电子元器件及组件
赛米控IGBT模块SKB50/16A3深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 17:22:29 产品编号:GY-5-91487969  分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKB50/16A3深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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    赛米控IGBT模块SKB50/16A3针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块,采用高频技术和碳化硅材料。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。
 
机械特性 
• 封装的CTI>400 
• 高爬电距离和电气间隙 
• 绝缘的基板 
• 铜基板
• 标封装
  
赛米控IGBT模块SKB50/16A3深圳现货参数资料

产品种类:

IGBT 模块

产品:

IGBT Silicon Modules

品牌和型号

        赛米控SKB50/16A3

配置:

Dual

集电极—发射极**电压 VCEO:

1200 V

集电极—射极饱和电压:

3.2 V

在25 C的连续集电极电流:

275 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

功率耗散:

1.4 kW

**工作温度:

+ 125 C

封装 / 箱体:

62 mm

商标:

Infineon Technologies

栅极/发射极**电压:

+/- 20 V

**小工作温度:

- 40 C

安装风格:

Screw

产品价格和中英文资料

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工厂包装数量:

500

SK80GB063 81A 半桥(2单元) semitop 3
SK25GB063 30A 半桥(2单元) semitop 1
SK45GB063 45A 半桥(2单元) semitop 2
SK25GAL063 30A 斩波器模块 semitop 1
SK45GAL063 45A 斩波器模块 semitop 2
SK70GAL063 81A 斩波器模块 semitop 2
SK25GAR063 30A 斩波器模块 semitop 1
SK45GAR063 45A 斩波器模块 semitop 2

负压驱动电路
在大功率IGBT驱动电路设计而中,各路驱动电源独立,集成驱动电流一般都有产生负压的功能,在IGBT关断期间在栅极上施加负电压,一般为-5V。其作用也是为了增强IGBT关断的可靠性,防止由于电容密勒效益而造成IGBT误导通。自举电路无这一功能,但可以通过加几个无源器件来实现负压的功能,如图3-3所示。在上下管驱动电路中均加上由C5和C6以及5V稳压管ZD1和ZD2组成的负压电路,其工作原理为:电源电压VCC为20V,在上电期间,电源通过R1给C6充电,C6上保持5V的电源。在下桥驱动光耦工作时, 下桥驱动光耦引脚5输出20V高电平,这时加在下管S2栅极上的电压为20V-5V=15V,IGBT正常导通。当下桥驱动光耦不工作时,下桥驱动光耦引脚5输出0V,此时S2栅极上的电压为-5V,从而实现关断时所需的负压。对于上管S1,在上桥驱动光耦工作时,上桥驱动光耦引脚5输出20V电压,加在S1栅极上的电压为15V。在上桥驱动光耦不工作时,上桥驱动光耦引脚5端输出为0V,S1栅极电压为-5V。由于IGBT为电压型驱动器件,所以负压电容C5和C6上的电压波动较小,维持在5V,自举电容上的电压也维持在20V左右,只在下管S2导通的瞬间有一个短暂的充电过程。IGBT的导通压降一般小于3V,负压电容C5的充电在S2导通时完成。对于C5、C6的选择,要求其容量大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容充电电路中的二极管VD1必需是快恢复二极管,应留有足够的电流裕量。

赛米控IGBT模块SKB50/16A3参数图
产品参数图

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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
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