绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和**切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

仙童场效应管FQH18N50V2深圳优势库存参数资料
FAN302HL（85K）/UL(140K)+MOS,FSL106MR（8DIP）,FSL106HR,FSL116LR,
FSL126MR,FSL136MR,FSL107H,FSL117H,FSL127H,FSL137H,FL6961+MOS,
FSGM300(8DIP),FAN6862（SSOT6）,FAN6863（SSOT6）,FAN6754A(PWM)SOP-8,
FAN6756(PWM)SOP-8,FAN6300A,FAN6961,FAN6921,FAN6920,FSFR1700-2100,
**连续集电极电流 120 A
**集电极-发射极电压 600 V
**栅极发射极电压 ±20V
**功率耗散 600 W
封装类型 TO-247AB
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
配置 单
长度 15.6mm
宽度 4.7mm
高度 20.6mm
尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm
**高工作温度 +175 °C
**工作温度 -55 °C

应用
电源管理; 替代能源; 电机驱动与控制; 工业

当场效应管电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。
MOS电容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反转（VBG=3V），（C）积累（VBG=-3V）。
正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。