场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。**普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

仙童场效应管FDP3651U优势库存参数资料
通道类型 N
**连续漏极电流 8 A
**漏源电压 1000 V
**漏源电阻值 1.45 Ω
**小栅阈值电压 3V
**栅源电压 ±30 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 **切换
**功率耗散 225 W
配置 单
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm
FL7701,FL7730,FL7732,FL7930B,FL7930C,FLS1600XS,FLS1700XS,
FLS1800XS,FLS2100XS,FLS0116,FLS3217,FLS3247
FAN7527BMX,FAN6921MRMY,FAN6961SZ,FAN103WMY,FSEZ1317MY/NY,FSEZ1016AMY,
FSEZ1216BNY,FAN7530MX,FAN7930CMX,FAN6862TY,FSL106HR,FAN6754MRMY,
FSL136MR,FDPF13N50NZ,FSDM0365R,FSDM311,FQPF5N60C,FQP6N90C,FSGM300N,
FQA9N90C,FDPF18N50KA5H0165RTU,KA1M0565RYDTU,KA5M0365RYDTU,KA5M0380RYDTU,
KA5L0565RYDTU,FQA11N90C,KA1M0680TU,FSFM260N,74LCX244MTCX,FSFR1700,
FAN4800ASNY,KA7812,FDPF15N65,FQPF8N60C,FDPF10N60C,FDPF12N60C,
FQPF13N50C,FQPF7N65C,FQP19N20C,KA5L0380RYDTU,KA5M0265RYDTU,KA5M0365R(Y)DTU,
典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ V@ 10
典型关断延迟时间 122 ns
每片芯片元件数目 1
高度 20.82mm
**高工作温度 +150 °C
典型输入电容值@Vds 2475 pF@ 25 V
长度 15.87mm
宽度 4.82mm
**工作温度 -55 °C
典型接通延迟时间 50 ns