仙童场效应管FQH8N100C，QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用**的专利技术为广泛的应用提供**的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
  它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用**的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
  MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 **的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
  Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供**的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

仙童场效应管ISL9K3060G3优势库存参数资料
通道类型 N
**连续漏极电流 8 A
**漏源电压 1000 V
**漏源电阻值 1.45 Ω
**小栅阈值电压 3V
**栅源电压 ±30 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 **切换
**功率耗散 225 W
配置 单
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm
典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ V@ 10
典型关断延迟时间 122 ns
每片芯片元件数目 1
高度 20.82mm
**高工作温度 +150 °C
典型输入电容值@Vds 2475 pF@ 25 V
长度 15.87mm
宽度 4.82mm
**工作温度 -55 °C
典型接通延迟时间 50 ns