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仙童场效应管FQH8N100C优势库存参数资料
FQH8N100C
TO-247-3
MOSFET TO-247 Pkg
150
分离式半导体产品
FET - 单
QFET™
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
1000V（1kV）
8A
1.45 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
70nC @ 10V
3220pF @ 25V
225W
通孔
TO-247-3
TO-247
管件
1605 (CN2011-ZH PDF)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（**值） 1.45 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（**值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 3220pF @ 25V
功率 - **值 225W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247

应用
电源管理; 替代能源; 电机驱动与控制; 工业