IR场效应管IRF2805PBF深圳优势库存参数资料_供应

IR场效应管IRF2805PBF深圳优势库存参数资料

发布时间:2016-07-21 16:46:09 产品编号:GY-5-91482971 分享

价格:未填
品牌:IR
发货:3天内
信息标签:IR场效应管IRF2805PBF深圳优势库存参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

IR场效应管IRF2805PBF优势库存参数资料
晶体管极性 N沟道
电流, Id 连续 175A
漏源电压, Vds 55V
在电阻RDS（上） 4.7mohm
电压 @ Rds测量 10V
阈值电压 Vgs 4V
功耗 Pd 330W
晶体管封装类型 TO-220AB
针脚数 3引脚
工作温度**高值 175°C
产品范围 -
MSL -
SVHC(高度关注物质) No SVHC (17-Dec-2015)

应用
电源管理; 替代能源; 电机驱动与控制; 工业

IR场效应管IRF2805PBF参数图

**成本设计选择MOSFET：
没有一个简单的方法去选择MOSFET与热沉结合，使成本**。因为这里有多种设计选择适合于变换器系统设计母板。然而，表2中的电子数据，为母板设计员给出了一种方便，便于分析各种选择，包括正确选择性能和低成本的折中。该数据表已经被收进各种电子文本。该数据表表明了两种选择方法：1）飞兆FDP7030L 型MOSFET，适合于升压与降压应用；2）飞兆FDP6030L 型MOSFET，同样适合于升压和降压应用。现将这份数据表内容按照行序列分别解释如下：
1．升压应用的MOSFET导通电阻值RDSON，来源于MOSFET数据手册；
2．FET的上升时间，来源于MOSFET数据手册；
3． FET的下降时间，来源于MOSFET数据手册。设计者应该注意到，这个数据表为产品规范书中的上升和下降时间，实际观测到的可能会大两倍，所以，开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。

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