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IR场效应管IRGP4062DPBF优势库存参数资料
集电极直流电流 60A
集电极发射饱和电压, Vce 2.28V
功耗 Pd 300W
集电极发射电压, Vceo 1.2kV
晶体管封装类型 TO-247AD
针脚数 3引脚
工作温度**高值 150°C

产品范围 -
MSL -
SVHC(高度关注物质) No SVHC (17-Dec-2015)
应用
电源管理; 替代能源; 电机驱动与控制; 工业
IRFP150A 100V,43A TO-3P
IRFP250A 200V,32A TO-3P
IRFP450A 500V,14A TO-3P
IRFR024A 60V,15A D-PAK
IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
IRFR310A 400V,1.7A D-PAK

MOSFET设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：
1． RDSON的值。**的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET其成本将高于较高电阻器件。
2．散热。如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。也可以使用表面贴装的MOSFET达到同样效果，详见下文第15行。
3. MOSFET组合。如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSON的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。计算MOSFET的功率损耗及其壳温
在MOSFET工作状态下，有三部分功率损耗：
1．  MOSFET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：
PON=ILoad2 × RDSON ×占空比
ILoad为**直流输出电流。
2．  MOSFET在打开上升时功率损耗：
PTRON= （ILoad × VDS × Tr ×FS）/ 2
其中：。
3．  MOSFET在截止状态下的功耗：
PTRON= （ILoad × VDS × Tf ×Fs）/ 2
其中：Tf 是MOSFET的下降时间。
在连续模式开关调节器中，占空比等于 Vout/Vin。
VDS是漏源之间的**电压，对于非同步转换器，VDS=VIN+VOUT 。对于一个同步转换器，升压MOSFET的VDS=VIN ，降压MOSFET则是VDS=VF 。。其中VF是肖特基势垒的正向压降。