场效应管的开路漏极电路，在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。

IR场效应管IRFB4710PBF优势库存参数资料
集电极直流电流 60A
集电极发射饱和电压, Vce 2.28V
功耗 Pd 300W
集电极发射电压, Vceo 1.2kV
晶体管封装类型 TO-247AD
针脚数 3引脚
工作温度**高值 150°C

产品范围 -
MSL -
SVHC(高度关注物质) No SVHC (17-Dec-2015)
应用
电源管理; 替代能源; 电机驱动与控制; 工业
IRF740A 400V,10A TO-220
IRF750A 400V,15A TO-220
IRF820A 500V,2.5A TO-220
IRF830A 500V,4.5A TO-220
IRF840A 500V,8A TO-220
IRFP150A 100V,43A TO-3P
IRFP250A 200V,32A TO-3P
IRFP450A 500V,14A TO-3P
IRFR024A 60V,15A D-PAK
IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
IRFR224A 250V,3.8A D-PAK

**成本设计选择MOSFET：
    没有一个简单的方法去选择MOSFET与热沉结合，使成本**。因为这里有多种设计选择适合于变换器系统设计母板。然而，表2中的电子数据，为母板设计员给出了一种方便，便于分析各种选择，包括正确选择性能和低成本的折中。该数据表已经被收进各种电子文本。该数据表表明了两种选择方法：1）飞兆FDP7030L 型MOSFET，适合于升压与降压应用；2）飞兆FDP6030L 型MOSFET，同样适合于升压和降压应用。现将这份数据表内容按照行序列分别解释如下：
1．升压应用的MOSFET导通电阻值RDSON，来源于MOSFET数据手册；
2．FET的上升时间，来源于MOSFET数据手册；
3． FET的下降时间，来源于MOSFET数据手册。设计者应该注意到，这个数据表为产品规范书中的上升和下降时间，实际观测到的可能会大两倍，所以，开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。